SAMSUNG SSD 990 PRO (MZ-V9P1T0GW) 1TB/PACKAGING BLANCO
SAMSUNG SSD 990 PRO (MZ-V9P1T0GW) 1TB/PACKAGING BLANCO
Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7450 MB/s
- Velocidad de escritura: 6900 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Función DevSleep: Si
- Ancho: 80 mm
- Profundidad: 8,2 mm
- Altura: 24,3 mm
- Peso: 28 g
- Consumo de energía (promedio): 5,4 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,8 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7450 MB/s
- Velocidad de escritura: 6900 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Función DevSleep: Si
- Ancho: 80 mm
- Profundidad: 8,2 mm
- Altura: 24,3 mm
- Peso: 28 g
- Consumo de energía (promedio): 5,4 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,8 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
SAMSUNG SSD 990 PRO (MZ-V9P1T0GW) 1TB/PACKAGING BLANCO
Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7450 MB/s
- Velocidad de escritura: 6900 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Función DevSleep: Si
- Ancho: 80 mm
- Profundidad: 8,2 mm
- Altura: 24,3 mm
- Peso: 28 g
- Consumo de energía (promedio): 5,4 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,8 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- SSD: 1 TB
- Interfaz: PCI Express 4.0
- Tipo de memoria: V-NAND MLC
- NVMe: Si
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Si
- Velocidad de lectura: 7450 MB/s
- Velocidad de escritura: 6900 MB/s
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Lectura aleatoria (4KB): 1200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1550000 IOPS
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Versión NVMe: 2.0
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Función DevSleep: Si
- Ancho: 80 mm
- Profundidad: 8,2 mm
- Altura: 24,3 mm
- Peso: 28 g
- Consumo de energía (promedio): 5,4 W
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo de energía (max): 7,8 W
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1000 GB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe (Espera 4 dias)
- Marca: Samsung
- Código: MZ-V9P1T0GW
- Disponibilidad: 310 (48/72h)
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