CL 40/ 1.1V
CL 40/ 1.1V
MODULO S O DDR5 16GB 4800MHz KINGSTON CL 40 1.1V
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 16 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 16 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
CL 40/ 1.1V
MODULO S O DDR5 16GB 4800MHz KINGSTON CL 40 1.1V
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 16 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 16 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS8-16 módulo de memoria 16 GB 1 x 16 GB DDR5 4800 MHz (Espera 4 dias)
- Marca: Kingston
- Código: KVR48S40BS8-16
- Disponibilidad: No disponible (48/72h)
También te puede interesar
5 un. (48/72h)
Sodimm 4gb 3200mhz Ddr4 1.2v Oem (procedente
SODIMM 4GB 3200MHz DDR4 1.2V OEM (PROCEDENTE DE AMPLIACIONES DE LENOVO)Características? Memoria interna: 4 GB? Tipo de memoria interna: DDR4? Velocid..
12 un. (48/72h)
DAHUA DRAM DDR4, 3200 MHZ, 8GB, SODIMM, FOR LAPTOP (DHI-DDR-C300S8G32) (Espera 4 dias)
DDR4, 3200 MHZ, 8GB, SODIMM, FOR LAPTOP (DHI-DDR-C300S8G32)DDR4, 3200 MHZ, 8GB, SODIMM, PARA PORTÁTIL (DHI-DDR-C300S8G32).- Componente para: Portátil-..
56 un. (48/72h)
2PW-8GB MEM0803A
Memoria RAM 2-Power MultiSpeed 8GB/ DDR3L/ 1066/ 1333/ 1600MHz/ 1.35V/ CL7/9/11/ SODIMMEspecificaciones técnicas SODIMM 204 pin 8GB Multispeed 10..
2 un. (48/72h)
Goodram GR1600S3V64L11/8G - DDR3L SODIMM - 8GB - 1600
MODULO DDR3 8GB PC1600 GOODRAM CL11 / 1.35V GR1600S3V64L11/8GLos módulos SODIMM de la generación DDR3 son una solución ideal para los que pretendan..