CL 40/ 1.1V
CL 40/ 1.1V
MODULO S O DDR5 8GB 4800MHz KINGSTON CL 40 1.1V
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 8 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 8 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
CL 40/ 1.1V
MODULO S O DDR5 8GB 4800MHz KINGSTON CL 40 1.1V
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 8 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
- On-Die ECC: Si
- Tiempo activo en fila: 32 ns
- Tiempo de actualización de ciclo de fila: 295 ns
- Tiempo de ciclo de fila: 48 ns
- Placa de plomo: Oro
- Programador de potencia de voltaje (VPP): 1,8 V
- Voltaje de memoria: 1.1 V
- Latencia CAS: 40
- ECC: No
- Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
- Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
- Clasificación de memoria: 1
- Estándar JEDEC: Si
- Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM
- Componente para: Portátil
- Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz
- Tipo de memoria interna: DDR5
- Memoria interna: 8 GB
- Altura: 30 mm
- Ancho: 69,6 mm
- Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
- Sustainability certificates: RoHS
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